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Class 12 भौतिकी Ch-12 अर्धचालक UNIT 12: अर्धचालक (SEMICONDUCTORS)
12.1 p-type एवं n-type 12.1.1 अर्धचालक की मूल अवधारणा 12.1.1.1 आंतरिक अर्धचालक (Intrinsic semiconductor) 12.1.1.1.1 शुद्ध सिलिकॉन और जर्मेनियम 12.1.1.1.2 सहसंयोजक बंध (Covalent bonding) 12.1.1.1.3 ऊर्जा बैंड संरचना 12.1.1.1.4 संयोजक बैंड 12.1.1.1.5 चालन बैंड 12.1.1.2 ऊर्जा बैंड सिद्धांत 12.1.1.2.1 बैंड गैप की अवधारणा 12.1.1.2.2 चालक, कुचालक और अर्धचालक की तुलना 12.1.2 बाह्य अर्धचालक (Extrinsic) 12.1.2.1 डोपिंग की अवधारणा 12.1.2.1.1 दाता अशुद्धि 12.1.2.1.2 ग्राही अशुद्धि 12.1.2.1.3 चालकता में वृद्धि 12.1.3 n-type अर्धचालक 12.1.3.1 पंचसंयोजी डोपिंग 12.1.3.1.1 फॉस्फोरस 12.1.3.1.2 आर्सेनिक 12.1.3.1.3 एंटीमनी 12.1.3.2 वाहक 12.1.3.2.1 प्रमुख वाहक: इलेक्ट्रॉन 12.1.3.2.2 अल्पसंख्यक वाहक: होल 12.1.4 p-type अर्धचालक 12.1.4.1 त्रिसंयोजी डोपिंग 12.1.4.1.1 बोरॉन 12.1.4.1.2 एल्युमिनियम 12.1.4.1.3 गैलियम 12.1.4.2 वाहक 12.1.4.2.1 प्रमुख वाहक: होल 12.1.4.2.2 अल्पसंख्यक वाहक: इलेक्ट्रॉन 12.1.5 उन्नत अवधारणाएँ 12.1.5.1 फर्मी स्तर की स्थिति 12.1.5.1.1 n-type में ऊपर शिफ्ट 12.1.5.1.2 p-type में नीचे शिफ्ट 12.1.5.2 तापमान प्रभाव 12.1.5.2.1 intrinsic region 12.1.5.2.2 extrinsic region 12.1.5.2.3 freeze-out region
12.2 p-n जंक्शन 12.2.1 निर्माण 12.2.1.1 p और n का संपर्क 12.2.1.1.1 विसरण (Diffusion) 12.2.1.1.2 प्रवाह (Drift) 12.2.1.2 पुनर्संयोजन 12.2.1.2.1 इलेक्ट्रॉन-होल मिलन 12.2.1.2.2 depletion region निर्माण 12.2.2 अवक्षय क्षेत्र 12.2.2.1 स्थान आवेश क्षेत्र 12.2.2.1.1 स्थिर आयन 12.2.2.1.2 विद्युत क्षेत्र 12.2.2.2 बाधा विभव 12.2.2.2.1 संभावित अंतर 12.2.2.2.2 वाहक गति में बाधा 12.2.3 ऊर्जा बैंड आरेख 12.2.3.1 जंक्शन से पहले 12.2.3.2 संतुलन अवस्था 12.2.3.3 फर्मी स्तर संतुलन 12.2.3.4 बैंड झुकाव 12.2.4 उन्नत अवधारणाएँ 12.2.4.1 जंक्शन धारिता 12.2.4.2 अवक्षय चौड़ाई परिवर्तन 12.2.4.3 वेरैक्टर डायोड
12.3 बायसिंग 12.3.1 अग्र बायस 12.3.1.1 P धनात्मक, N ऋणात्मक 12.3.1.2 बाधा विभव में कमी 12.3.1.3 अवक्षय क्षेत्र का सिकुड़ना 12.3.2 पश्च बायस 12.3.2.1 P ऋणात्मक, N धनात्मक 12.3.2.2 बाधा विभव में वृद्धि 12.3.2.3 रिसाव धारा 12.3.3 ब्रेकडाउन 12.3.3.1 ज़ेनर ब्रेकडाउन 12.3.3.2 एवलांच ब्रेकडाउन 12.3.3.3 क्रांतिक विद्युत क्षेत्र 12.3.4 उन्नत बायसिंग 12.3.4.1 शॉकली समीकरण 12.3.4.2 डायनामिक प्रतिरोध 12.3.4.3 स्विचिंग व्यवहार
12.4 ज़ेनर डायोड 12.4.1 मूल सिद्धांत 12.4.1.1 भारी डोप किया हुआ जंक्शन 12.4.1.2 रिवर्स ब्रेकडाउन 12.4.1.3 ज़ेनर प्रभाव 12.4.1.4 एवलांच प्रभाव 12.4.2 वोल्टेज नियंत्रण 12.4.2.1 लाइन रेगुलेशन 12.4.2.2 लोड रेगुलेशन 12.4.2.3 स्थिर वोल्टेज 12.4.3 उपयोग 12.4.3.1 वोल्टेज स्टेबलाइज़र 12.4.3.2 क्लिपर सर्किट 12.4.3.3 क्लैम्पर सर्किट 12.5 ट्रांजिस्टर 12.5.1 संरचना 12.5.1.1 NPN 12.5.1.2 PNP 12.5.1.3 एमिटर 12.5.1.4 बेस 12.5.1.5 कलेक्टर 12.5.2 कार्य सिद्धांत 12.5.2.1 धारा प्रवर्धन 12.5.2.2 वाहक इंजेक्शन 12.5.2.3 पुनर्संयोजन 12.5.3 संचालन क्षेत्र 12.5.3.1 कटऑफ 12.5.3.2 सक्रिय 12.5.3.3 संतृप्ति 12.5.4 उन्नत अवधारणाएँ 12.5.4.1 अर्ली प्रभाव 12.5.4.2 एबर्स-मॉल मॉडल 12.5.4.3 रिसाव धाराएँ 12.6 लॉजिक गेट्स 12.6.1 मूल गेट्स 12.6.1.1 AND 12.6.1.2 OR 12.6.1.3 NOT 12.6.2 सार्वभौमिक गेट्स 12.6.2.1 NAND 12.6.2.2 NOR 12.6.3 बूलियन बीजगणित 12.6.3.1 डी मॉर्गन नियम 12.6.3.2 SOP रूप 12.6.3.3 POS रूप 12.6.4 K-मैप 12.6.4.1 2 चर 12.6.4.2 3 चर 12.6.4.3 4 चर 12.6.5 संयोजन सर्किट 12.6.5.1 अर्ध योजक 12.6.5.2 पूर्ण योजक 12.6.5.3 घटावक 12.6.5.4 MUX/DEMUX 12.6.6 अनुक्रमिक सर्किट 12.6.6.1 SR फ्लिप-फ्लॉप 12.6.6.2 JK फ्लिप-फ्लॉप 12.6.6.3 D फ्लिप-फ्लॉप 12.6.6.4 T फ्लिप-फ्लॉप 12.7 आधुनिक उपकरण 12.7.1 MOSFET 12.7.1.1 एनहांसमेंट मोड 12.7.1.2 डिप्लीशन मोड 12.7.1.3 थ्रेशोल्ड वोल्टेज 12.7.2 CMOS 12.7.2.1 CMOS इन्वर्टर 12.7.2.2 कम शक्ति लॉजिक 12.7.3 ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स 12.7.3.1 LED 12.7.3.2 फोटोडायोड 12.7.3.3 सोलर सेल 12.7.4 विशेष डायोड 12.7.4.1 टनल डायोड 12.7.4.2 शॉटकी डायोड 12.7.4.3 PIN डायोड
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